euv和duv区别
品牌型号:iPhone 14
系统:iOS 16.1.2
euv和duv区别:
1、制程范围不同。duv:基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,却无法达到10nm以下。euv:能满足10nm以下的晶圆制造,并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
2、发光原理不同。duv:光源为准分子激光,光源的波长能达到193纳米。euv:激光激发等离子来发射EUV光子,光源的波长则为13.5纳米。
3、光路系统不同。duv:主要利用光的折射原理。其中,浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间,填入去离子水,使得193nm的光波等效至134nm。euv:利用的光的反射原理,内部必须为真空操作。
极紫外光刻(ExtremeUltra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。
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