ddr2和ddr3的插槽一样吗
品牌型号:三星内存条DDR2&&DDR3
ddr2和ddr3的插槽不一样。ddr2和ddr3是两代不同的内存条,DDR2和DDR3内存模块的插槽是不兼容的,它们具有不同的物理接口。无法将DDR3内存模块插入DDR2插槽中,反之亦然。而且DDR3内存比DDR2内存工作时的电压更低。DDR2内存通常使用1.8伏特的电压,而DDR3内存通常使用1.5伏特的电压。这种降低的电压有助于降低功耗和热量产生。
ddr2和ddr3的注意区别:
1、逻辑Bank数量。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装。由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度。由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序。就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。—写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
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